| 品牌 | 昊量光電 | 供貨周期 | 現(xiàn)貨 |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
5×5陣列，950~1650nm，具有溫度穩(wěn)定功能的5×5 InGaAs 離散放大光子探測器陣列 (DAPD)
5×5 InGaAs 離散放大光子探測器陣列 (DAPD)（DAPD：Discrete Amplification photon detector）5×5陣列近紅外探測器，具有溫度穩(wěn)定功能。DAPD 1550系列5x5近紅外光電探測器可實現(xiàn)近紅外光譜響應(yīng)，950nm至1650nm、高速自淬火近紅外銦鎵砷探測器5x5 Array，專為3D激光雷達應(yīng)用而設(shè)計。DAPD NIR 5x5 Array探測器利用了突破性離散放大方法，該方法使用多通道放大和單片集成負反饋雪崩機制來放大低電平電信號。離散放大技術(shù)具有內(nèi)部放大功能，可提供非常高的增益（約100,000），這與非常低的過量噪聲系數(shù)（低于1.05）和快速響應(yīng)（上升時間快于0.6ns）相結(jié)合。這些特性使NIR陣列式光電探測器DAPD能夠檢測單光子，并優(yōu)化極弱光水平的檢測。
離散放大InGaAs光子探測器陣列采用KOVAR材料制成的密封包裝，其中包括一個低功率兩級熱電冷卻器（TEC）和一個熱敏電阻。該包裝允許DAPD探測器在寬環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作，同時使1550系列5x5探測器芯片陣列保持在-50°C的工作溫度。
近紅外銦鎵砷探測器陣列的主要特點：
5×5陣列近紅外探測器采用In0.47Ga0.53As吸收器設(shè)計，可在950nm至1650nm的寬波長范圍內(nèi)工作
設(shè)計用于在各種環(huán)境溫度下運行，其中使用低功率兩級熱電冷卻器冷卻陣列溫度
針對0.1ns至20ns激光雷達脈沖檢測的定制設(shè)計，具有高達50MHz的高重復(fù)頻率
NIR InGaAs光子探測器陣列具有好的的偏置電壓穩(wěn)定性
每光子約75,000電子的高增益，足夠高以允許50Ω射頻前置放大器；無需進行跨阻抗匹配
低噪聲因子
NIR陣列式光電探測器主要應(yīng)用：
1550系列5x5近紅外光電探測器系列設(shè)計用于激光雷達系統(tǒng)、三維激光雷達成像和環(huán)境監(jiān)測應(yīng)用。該NIR InGaAs光子探測器陣列針對0.5ns至20ns的激光脈沖長度進行了優(yōu)化。25個探測器中的每個探測器都分別連接到封裝中的專用引腳，在封裝的四面都有公共陰極連接。能夠連接到25個像素中的任何一個提供了多個級別的靈活性。例如，離散放大InGaAs光子探測器陣列可以連接成四分之一配置或作為單個寬面積探測器。
NIR InGaAs探測器陣列作為50Ω系統(tǒng)的電子放大提供了額外的設(shè)計功能靈活性，使用現(xiàn)成的50Ω電子放大。陣列設(shè)計為在脈沖檢測模式下以恒定偏置運行，以連續(xù)模式運行，進一步降低了電氣系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性，并提供了許多選項來將DAPD探測器陣列系統(tǒng)與模擬到數(shù)字采樣系統(tǒng)、幀抓取器等進行集成。
近紅外探測器陣列的規(guī)格：
注：下表的數(shù)據(jù)規(guī)格均是在封裝環(huán)境溫度為-45°C時得出的
參數(shù) | DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 µm Pitch | 單位 |
有效區(qū)域尺寸 | 500 by 500 | µm2 |
有效區(qū)域單像素 | 90 by 90 | µm2 |
像素數(shù) | 25 | - |
光子檢測效率@1064nm (PDE)1 | 15 | % |
光譜響應(yīng)范圍（λ） | 950-1650 | nm |
單光電子增益 (M) | 1x105 | - |
過量噪聲系數(shù) | 1.05 | - |
暗計數(shù)率（單像素） | 4 | MHZ |
工作偏置 | 50-70 | V |
上升時間（10%- 90%） | 600 | ps |
單放大通道恢復(fù)時間（-35℃時） | 50 | ns |
絕對額定值 | ||
損傷閾值 | 0.5 | nJ |
工作電流（反向偏置） | 50 | μA |
工作電壓 | -(Vop+4)2 | V |
（1）光子檢測效率包括后脈沖。
（2）靈敏度的工作偏置Vop在出廠前測試后提供。
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